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赛微电子参加第23届中国集成电路制造年会


  

       

  2020年9月17日,第23届中国集成电路制造年会暨2020年广东集成电路产业发展论坛在广州召开。赛微电子董事长兼总经理杨云春、子公司瑞典Silex董事聂铁轮、子公司聚能晶源&聚能创芯总经理袁理应邀参加了此次会议。

  大会以“赋能制造业、拓展大集群”为主题,通过高峰论坛和专题研讨会等进行深入地交流。在高峰论坛环节,瑞典Silex董事聂铁轮、聚能晶源&聚能创芯总经理袁理分别在专题分论坛上发表了演讲。

    在演讲中,瑞典Silex董事聂铁轮讲述了赛微电子及其旗下子公司赛莱克斯国际、赛莱克斯北京等公司的发展历程及业务优势。在他看来,MEMS市场已经从早期的传感器器件延伸为微米级的微器件加工中心,终端用户直接需求向“高端定制研发、小批量、多品种”转变,同时随着跨界新行业需求成为主流,产品开发和工艺一体化的服务需求逐渐成为主流,在此背景下,赛莱克斯拥有的多种先进加工工艺及400多种传感器的研发经验,为其吸引客户、开拓市场提供了强有力的保证。

  目前赛莱克斯北京正在国内建设一条8英寸MEMS国际代工线,该产线代表了MEMS领域的先进水平与规模产能,建成投产后将为全球MEMS产品客户的研发和量产提供成熟的技术支持和产能保障。如今,中国集成电路产业进入高速成长期,依托公司的技术、团队优势,赛微电子的MEMS业务必将迎来新一轮的快速发展。

  聚能晶源&聚能创芯总经理袁理以“基于GaN材料与器件技术,打造国产化新型功率器件供应链”为题,分享了GaN功率器件的优势及公司在GaN材料与器件研发方面做出努力及成绩。

  作为第三代半导体,GaN器件得益于材料优势,在速度、效率、耐高温、抗辐照等方面均优于传统硅器件,在功率领域具有广泛的应用前景。

  在此背景下,赛微电子着手布局了聚能晶源与聚能创芯项目,开展GaN材料与器件的产业化工作。聚能晶源先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关,于2018年底成功研发出具备全球领先水平的8英寸硅基GaN外延晶圆,该晶圆具有高耐压、耐高温、低漏电、低成本等优点;2020年4月,聚能创芯成功开发650V系列GaN功率器件产品,并发布基于该系列GaN功率器件的PD快充应用示例,为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案。

  基于两项目实施,赛微电子可实现GaN材料、器件与应用的国产化供应,为5G通讯、智能终端、大数据自动驾驶等领域提供新型功率器件产品和应用开发服务。

  赛微电子以半导体业务为核心,面向高频通信基础上的物联网与人工智能时代,一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务,一方面积极布局GaN材料与器件业务,致力于成为一家立足本土、国际化发展的知名半导体科技企业集团。

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